2N1970 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1970
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 170 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.05 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO36
Otros transistores... 2N1964-46 , 2N1965 , 2N1965-46 , 2N1966 , 2N1967 , 2N1968 , 2N1969 , 2N197 , TIP35C , 2N1971 , 2N1972 , 2N1973 , 2N1974 , 2N1975 , 2N1978 , 2N198 , 2N1980 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050