2N1970 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1970
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 170 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.05 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO36
- Selección de transistores por parámetros
2N1970 Datasheet (PDF)
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History: 2SC3955 | 2N2453DCSM | 2N918ADCSM | 2SC5803 | 2SA557 | 2G403 | 2SD332
History: 2SC3955 | 2N2453DCSM | 2N918ADCSM | 2SC5803 | 2SA557 | 2G403 | 2SD332



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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