2N1970 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1970  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.05 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO36

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2N1970

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1970 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1964-46, 2N1965, 2N1965-46, 2N1966, 2N1967, 2N1968, 2N1969, 2N197, A733, 2N1971, 2N1972, 2N1973, 2N1974, 2N1975, 2N1978, 2N198, 2N1980