2SC3281O Todos los transistores

 

2SC3281O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3281O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 270 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO3PL
 

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2SC3281O datasheet

 7.1. Size:134K  mospec
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2SC3281O

A A A

 7.2. Size:190K  jmnic
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2SC3281O

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3281 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SA1302 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3

 7.3. Size:202K  inchange semiconductor
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2SC3281O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3281 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 200V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 3.0V(Max)@ I = 10A, I = 1A CE(sat) C B High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fid

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History: KTC3205T

 

 

 


 
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