Биполярный транзистор 2SC3281O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3281O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO3PL
2SC3281O Datasheet (PDF)
2sc3281.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3281 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SA1302 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3
2sc3281.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3281DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 3.0V(Max)@ I = 10A, I = 1ACE(sat) C BHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fid
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050