2SC3376 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC3376
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 900 V
Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO218
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2SC3376 Datasheet (PDF)
2sc3376.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3376DESCRIPTION Collector-Emiiter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min.)(BR)CEOHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switching applications.High speed DC-DC converter applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a
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History: LMUN5113DW1T1G | 2SC5343-Y | 2S322 | MJ4033 | 2SAB25N | CMBT9015C
History: LMUN5113DW1T1G | 2SC5343-Y | 2S322 | MJ4033 | 2SAB25N | CMBT9015C
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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