2SC3376 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC3376
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 900 V
Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO218
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2SC3376 datasheet
2sc3376.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3376 DESCRIPTION Collector-Emiiter Breakdown Voltage- V = 800V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulator and high voltage switching applications. High speed DC-DC converter applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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