2SC3421Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC3421Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: ISO126
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2SC3421Y datasheet
2sc3421 3da3421.pdf
2SC3421(3DA3421) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier applications. V 60-80W 2SA1358 3CA1358 CEO Features High V ,suitable for driver of 60 to 80 watts audio amplifier, complementary CEO to 2SA1358(3CA1358). /Absolute
2sc3421.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3421 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage V = 120V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SA1358 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. Suitable for driver of 60 to 80 Watts audio amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATI
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History: 2SC3420G
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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