2SC3502E Todos los transistores

 

2SC3502E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3502E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SC3502E Datasheet (PDF)

 7.1. Size:157K  sanyo
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2SC3502E

Ordering number:EN1425CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1380/2SC3502Ultrahigh-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage : VCEO 200V.unit:mm Small reverse transfer capacitance and excellent2009Bhigh-frequnecy characteristics[2SA1380/2SC3502]: Cre=1.2pF (NPN), 1.7pF (PNP), VCB=30V. Adoptio

 7.2. Size:218K  foshan
 2sc3502 3da3502.pdf pdf_icon

2SC3502E

2SC3502(3DA3502) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : CRT Purpose: Ultrahigh-definition CRT display, video output applications. :,, Features: High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Absolute maxim

 7.3. Size:195K  inchange semiconductor
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2SC3502E

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3502DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = 200 V(BR)CEOComplement to Type 2SA1380Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for ultrahigh-definition CRT display, video out-put applicaitonsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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History: KT837H1-IM | CSD1133 | 2SC5246 | AC524 | BCW68H | GD191 | RCS618

 

 
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