2SC3576 Todos los transistores

 

2SC3576 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3576
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: SPA
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC3576 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  sanyo
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2SC3576

Ordering number:EN1799DNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3576High hFE, Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions LF general-purpose amplifiers, various drivers,unit:mmmuting circuit.2033[2SC3576]Features Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation vo

 8.1. Size:136K  nec
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2SC3576

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC3570NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SC3570 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such asswitching regulators, DC/DC converters, and high-frequency poweramplifiers.FEATURES Mold package that do

 8.2. Size:180K  nec
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2SC3576

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2SC3576

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: HEPS5021 | TIX1393 | KSR2004 | BDY90A | 2G413

 

 
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