Справочник транзисторов. 2SC3576

 

Биполярный транзистор 2SC3576 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3576
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: SPA
 

 Аналог (замена) для 2SC3576

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3576 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  sanyo
2sc3576.pdfpdf_icon

2SC3576

Ordering number:EN1799DNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3576High hFE, Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions LF general-purpose amplifiers, various drivers,unit:mmmuting circuit.2033[2SC3576]Features Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation vo

 8.1. Size:136K  nec
2sc3570.pdfpdf_icon

2SC3576

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC3570NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SC3570 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such asswitching regulators, DC/DC converters, and high-frequency poweramplifiers.FEATURES Mold package that do

 8.2. Size:180K  nec
2sc3571.pdfpdf_icon

2SC3576

 8.3. Size:187K  nec
2sc3572.pdfpdf_icon

2SC3576

Другие транзисторы... 2SC3568 , 2SC3569 , 2SC3570 , 2SC3571 , 2SC3572 , 2SC3573 , 2SC3574 , 2SC3575 , TIP41 , 2SC3577 , 2SC3578 , 2SC3579 , 2SC3580 , 2SC3581 , 2SC3582 , 2SC3583 , 2SC3584 .

History: SDM4004

 

 
Back to Top

 


 
.