2SC3591 Todos los transistores

 

2SC3591 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3591
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SC3591 Datasheet (PDF)

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2SC3591

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2SC3591

isc Silicon NPN Power Transistors 2SC3591DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high definition CRT display horizontal deflectionoutput applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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2SC3591

Ordering number:EN1764BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1405/2SC3599Ultrahigh-Difinition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions Ultrahigh-definition CRT display.unit:mm Video output.2009B Color TV chroma output.[2SA1405/2SC3599] Wide-band amp.Features High fT : fT typ=500MHz. High breakdown voltage : VCEO

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2SC3591

Ordering number:EN1756BNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3595Ultrahigh-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions Ultrahigh-definition CRT display.unit:mm Video output driver.2009B Wideband amplifiers.[2SC3595]Features High fT : fT typ=2.0GHz. High current : IC=500mA.1 : Emitter2 : Collector3 : BaseJE

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