2SC362 Todos los transistores

 

2SC362 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC362
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC362 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:206K  toshiba
2sc3621.pdf pdf_icon

2SC362

 0.2. Size:212K  toshiba
2sc3620.pdf pdf_icon

2SC362

 0.3. Size:128K  nec
2sc3623 2sc3623a.pdf pdf_icon

2SC362

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3623, 3623ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3623)VEBO: 15 V (2SC3623A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C

 0.4. Size:101K  nec
2sc3622 2sc3622a.pdf pdf_icon

2SC362

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3622, 3622ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOWFREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3622)VEBO: 15 V (2SC3622A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD264B | MBT3904DW1T3G | 2SC3559 | 2N2875 | 2N259 | 2SC1420

 

 
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