2SC3709O Todos los transistores

 

2SC3709O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3709O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 180 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SC3709O Datasheet (PDF)

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2SC3709O

2SC3709A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC3709A High-Current Switching Applications Unit: mm Low collector saturation voltage: V = 0.4 V (max) CE (sat) High-speed switching: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1451A Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 60 VCollector-emitt

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2SC3709O

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2SC3709O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3709ADESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.4V(Max)@I = 6ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1451AAPPLICATIONSDesigned for high current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Voltage 50 VCEOV

 7.4. Size:205K  inchange semiconductor
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2SC3709O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3709DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.4V(Max)@I = 6ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1451Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

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