2SC380TMO Todos los transistores

 

2SC380TMO . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC380TMO
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO92

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2SC380TMO Datasheet (PDF)

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2SC380TMO

2SC380TM TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC380TM High Frequency Amplifier Applications Unit mm High power gain Gpe = 29dB (typ.) (f = 10.7 MHz) Recommended for FM IF, OSC stage and AM CONV. IF stage. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 35 V Collector-emitter voltage

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2SC380TM 0.05A , 35V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High Frequency Amplifier Applications G H Emitter Collector J Base CLASSIFICATION OF hFE A D Millimeter REF. Min. Max. Product-Rank 2SC380TM-R 2SC380TM-O 2SC380TM-Y B A 4.40 4.70

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2SC380TMO

2SC380TM Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features G =29dB( )(f=10.7MHz) pe High power Gain Gpe=29dB(Typ.)(f=10.7MHz).. / Applications High frequency amplifier applications.

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History: 2SD1843 | DBC846BPDW1T1G | DDTA114TKA | EQF0009 | NB212Y | DDTB114TU | 2SD1015

 

 
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