2SC3814 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SC3814
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (ft): 940 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC3814

2SC3814 Datasheet (PDF)

8.1. Size:34K nec
2sc3810.pdf

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC3810NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGSINDUSTRIAL USEFEATURES PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) The 2SC3810 is an NPN silicon epitaxial dual transistor having+0.35.0 MIN. 3.5-0.2 5.0 MIN.a large-gain-bandwidth product performance in a wide operating3 2current range. Dual chips i

8.2. Size:41K panasonic
2sc3811.pdf

Transistor2SC3811Silicon NPN epitaxial planer typeFor high speed switchingUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh-speed switching.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.2Collector to base voltage VCBO 40 V0.45 0.1 0.45 0.1Collector to emitter voltage VCES 40 V1.27 1.27Emit

8.3. Size:45K panasonic
2sc3811 e.pdf