2SC3814 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SC3814 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SC3814
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 940 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Аналоги (замена) для 2SC3814

2SC3814 Datasheet (PDF)

8.1. Size:34K nec
2sc3810.pdf

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC3810NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGSINDUSTRIAL USEFEATURES PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) The 2SC3810 is an NPN silicon epitaxial dual transistor having+0.35.0 MIN. 3.5-0.2 5.0 MIN.a large-gain-bandwidth product performance in a wide operating3 2current range. Dual chips i

8.2. Size:41K panasonic
2sc3811.pdf

Transistor2SC3811Silicon NPN epitaxial planer typeFor high speed switchingUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh-speed switching.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.2Collector to base voltage VCBO 40 V0.45 0.1 0.45 0.1Collector to emitter voltage VCES 40 V1.27 1.27Emit

8.3. Size:45K panasonic
2sc3811 e.pdf