2SC4199 Todos los transistores

 

2SC4199 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4199
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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2SC4199 Datasheet (PDF)

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2SC4197Silicon NPN EpitaxialApplicationUHF frequency converter, wide band amplifierOutlineMPAK311. Emitter2. Base23. Collector2SC4197Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 25 VCollector to emitter voltage VCEO 13 VEmitter to base voltage VEBO 3VCollector current IC 50 mACollector power dissipation PC 150

 8.3. Size:52K  hitachi
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2SC4196Silicon NPN EpitaxialApplicationUHF Local oscillatorOutlineMPAK311. Emitter2. Base23. Collector2SC4196Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 25 VCollector to emitter voltage VCEO 15 VEmitter to base voltage VEBO 3VCollector current IC 50 mACollector power dissipation PC 150 mWJunction temperatur

 8.4. Size:70K  no
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History: 2SC4132R | L2SC1623QLT1G

 

 
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