2N2109 Todos los transistores

 

2N2109 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N2109
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO83
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N2109 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:728K  rca
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2N2109

2N2102EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ANDSWITCHDESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintended for a wide variety of small-signall andmedium power applications in military andindustrial equipments.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collec

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2N2102EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ANDSWITCHDESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintended for a wide variety of small-signall andmedium power applications in military andindustrial equipments.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collec

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

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History: BTN3501E3 | NSBC123EPDXV6 | 2N6188 | 2SB441 | HPA72R-4 | FA4A4P | 2N6208

 

 
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