2N2109 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N2109  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO83

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N2109

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2109 даташит

 9.1. Size:728K  rca
 2n2102.pdf pdf_icon

2N2109

 9.2. Size:45K  st
 2n2102.pdf pdf_icon

2N2109

2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

 9.3. Size:47K  st
 2n2102 .pdf pdf_icon

2N2109

2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

 9.4. Size:74K  central
 2n2102-a.pdf pdf_icon

2N2109

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2102S, 2N2104, 2N2104A, 2N2104S, 2N2105, 2N2106, 2N2107, 2N2108, D882P, 2N211, 2N2110, 2N2111, 2N2112, 2N2113, 2N2114, 2N2115, 2N2116