121-1003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 121-1003
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 121-1003
121-1003 Datasheet (PDF)
r07ds0271ej 2sa1121-1.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0271EJ03002SA1121 (Previous: REJ03G0636-0200)Rev.3.00Silicon PNP Epitaxial Mar 28, 2011Application Low frequency amplifier Complementary pair with 2SC2618 Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)1. Emitter32. Base3. Collector12Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitCollec
Otros transistores... 105NU70 , 106NU70 , 1074GE , 107NU70 , 108T2 , 109T2 , 111T2 , 111T2-18 , 2N3904 , 121-1019 , 121-1029 , 121-1029-01 , 121-1033 , 121-1037 , 121-1039 , 121-1040 , 121-1058 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050