Биполярный транзистор 121-1003 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 121-1003
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
121-1003 Datasheet (PDF)
9.1. Size:86K renesas
r07ds0271ej 2sa1121-1.pdf
r07ds0271ej 2sa1121-1.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0271EJ03002SA1121 (Previous: REJ03G0636-0200)Rev.3.00Silicon PNP Epitaxial Mar 28, 2011Application Low frequency amplifier Complementary pair with 2SC2618 Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)1. Emitter32. Base3. Collector12Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitCollec
Другие транзисторы... 105NU70 , 106NU70 , 1074GE , 107NU70 , 108T2 , 109T2 , 111T2 , 111T2-18 , 2N3904 , 121-1019 , 121-1029 , 121-1029-01 , 121-1033 , 121-1037 , 121-1039 , 121-1040 , 121-1058 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050