2SC4679 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC4679  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 240 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: ISO126

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2SC4679 datasheet

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2SC4679

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2SC4679

Ordering number EN3708 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4675 20V/8A Switching Applications Features Package Dimensions Adoption of MBIT process. unit mm Low saturation voltage. 2042B Fast switching speed. [2SC4675] Large current capacity. 8.0 4.0 3.3 1.0 1.0 3.0 1.6 0.8 0.8 0.75 0.7 1 Emitter 2 Collector 3 Base 2.4 4.8 SANYO TO-126ML

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2SC4679

Ordering number EN3927 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4673 UHF Low-Noise Amplifier, Wide-Band Amplifier Applications Features Package Dimensions Low noise figure NF=1.5dB typ (f=0.9GHz). unit mm 2 High power gain S21e =8.0dB typ (f=0.9GHz). 2038A High cutoff frequency fT=4.5GHz typ. [2SC4673] 4.5 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 1 Base

Otros transistores... 2SC4666B, 2SC4667, 2SC4668, 2SC4669, 2SC466H, 2SC467, 2SC4670, 2SC4678, 2SC2240, 2SC468, 2SC4681, 2SC4681A, 2SC4681B, 2SC4682, 2SC4683, 2SC4684, 2SC4685