2SC4689O Todos los transistores

 

2SC4689O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4689O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 190 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: ISO247
 

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2SC4689O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:176K  toshiba
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2SC4689O

 7.2. Size:110K  jmnic
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2SC4689O

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4689 DESCRIPTION With TO-3PFM package Complementary to 2SA1804 Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=

 7.3. Size:197K  inchange semiconductor
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2SC4689O

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4689DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 6ACE(sat) CComplement to Type 2SA1804100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier a

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History: MPS-U02 | 3DD13005C3D | KSA1220Y | MQ3905R | 40885 | MJ12004

 

 
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