2SC4689O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4689O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 190 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: ISO247

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4689O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4689O даташит

 7.1. Size:176K  toshiba
 2sc4689.pdf pdf_icon

2SC4689O

 7.2. Size:110K  jmnic
 2sc4689.pdf pdf_icon

2SC4689O

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4689 DESCRIPTION With TO-3PFM package Complementary to 2SA1804 Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=

 7.3. Size:197K  inchange semiconductor
 2sc4689.pdf pdf_icon

2SC4689O

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4689 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 6A CE(sat) C Complement to Type 2SA1804 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4685, 2SC4686, 2SC4686A, 2SC4687, 2SC4688, 2SC4688O, 2SC4688R, 2SC4689, BD136, 2SC4689R, 2SC468A, 2SC468H, 2SC469, 2SC4690, 2SC4690O, 2SC4690R, 2SC4691