2G226 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2G226
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
2G226 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2G202 , 2G210 , 2G220 , 2G221 , 2G222 , 2G223 , 2G224 , 2G225 , 2SD313 , 2G227 , 2G228 , 2G229 , 2G230 , 2G231 , 2G240 , 2G271 , 2G30 .
History: 2SD1725T | BC232B | 2N964 | 2SD468C | PUMD4 | 2SC1103A | 2SC3443
History: 2SD1725T | BC232B | 2N964 | 2SD468C | PUMD4 | 2SC1103A | 2SC3443



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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