Биполярный транзистор 2G226 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2G226
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам