2SC4690O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC4690O  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 220 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: ISO247

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2SC4690O datasheet

 7.1. Size:121K  toshiba
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2SC4690O

2SC4690 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC4690 Power Amplifier Applications Unit mm High breakdown voltage V = 140 V (min) CEO Complementary to 2SA1805 Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier s output stage Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 140 V Collector-emitter v

 7.2. Size:198K  jmnic
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2SC4690O

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4690 DESCRIPTION With TO-3PFM package Complementary to 2SA1805 Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta

 7.3. Size:196K  inchange semiconductor
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2SC4690O

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4690 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 7A CE(sat) C Complement to Type 2SA1805 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier a

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