2SC4690O Todos los transistores

 

2SC4690O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4690O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 220 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: ISO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC4690O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:121K  toshiba
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2SC4690O

2SC4690 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC4690 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: V = 140 V (min) CEO Complementary to 2SA1805 Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifiers output stage Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 140 VCollector-emitter v

 7.2. Size:198K  jmnic
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2SC4690O

JMnic Product SpecificationSilicon NPN Power Transistors 2SC4690 DESCRIPTION With TO-3PFM package Complementary to 2SA1805 Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta

 7.3. Size:196K  inchange semiconductor
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2SC4690O

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4690DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 7ACE(sat) CComplement to Type 2SA1805100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier a

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History: KMBTA05 | 2SC706 | DTA602 | 2SC1400U | ECG311

 

 
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