2SC497Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC497Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC497Y
2SC497Y Datasheet (PDF)
2sa1875 2sc4976.pdf
Ordering number : ENN5507B2SA1875 / 2SC4976PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1875 / 2SC4976High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High fT : fT=400MHz(typ). unit : mm High breakdown voltage : VCEO200V(min). 2045B Large current capacitance.[2SA1875 / 2SC4976] Small reverse transfer capacitance and excelle
2sc4976.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC4976TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features High fT : fT=400MHz(typ). High breakdown voltage Large current capacitance. 0.127+0.10.80-0.1max Complementary to 2SA1875+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152 Collector3 Emitter Absolute Maximum Rati
2sc4977.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4977 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min) Fast Switching Speed Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max.)@ IC= 4.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed , power switching in inductive circuit , they are parti
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050