2SC5039 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5039
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 800 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 5
Encapsulados: TO220
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2SC5039 datasheet
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2sc5036.pdf
Power Transistors 2SC5036, 2SC5036A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 Features 9.9 0.3 2.9 0.2 High-speed switching 3.2 0.1 High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Full-pack package with outstanding insulation,
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History: 2SB1207 | 2SB1268R | 2SD1350A | 2SB1289 | 2SC507Y | 2SB1285 | 2SB1271Q
History: 2SB1207 | 2SB1268R | 2SD1350A | 2SB1289 | 2SC507Y | 2SB1285 | 2SB1271Q
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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