2SC511O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC511O
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40(max) pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC511O
2SC511O Datasheet (PDF)
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2sc5111ft.pdf
2SC5111FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111FT For VCO Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 10 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase current IB 30 mACollector current IC 60 mACollector power dissipation PC 100 mWJunction tempera
2sc5111.pdf
2SC5111 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111 For VCO Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 10 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase current IB 30 mACollector current IC 60 mACollector power dissipation PC 100 mWJunction temperature
2sc5110.pdf
2SC5110 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5110 For VCO Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 10 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase current IB 30 mACollector current IC 60 mACollector power dissipation PC 100 mWJunction temperature
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 3CA1240 | S8050TH
Liste
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