2N2159A Todos los transistores

 

2N2159A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2159A

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 170 W

Tensión colector-base (Vcb): 90 V

Tensión colector-emisor (Vce): 75 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 80

Empaquetado / Estuche: TO36

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2159A

 

2N2159A Datasheet (PDF)

9.1. 2n215.pdf Size:557K _rca

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9.2. 2n2150 2n2151.pdf Size:65K _microsemi

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TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 Devices Qualified Level 2N2150 2N2151 JANTX MAXIMUM RATINGS (TC = 250C unless otherwise noted) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Base Current I 2.0 Adc B Collector Current 2.0 Adc IC To

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