2SC568M Todos los transistores

 

2SC568M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC568M
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 650 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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2SC568M Datasheet (PDF)

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2SC568M

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2SC568M

Ordering number : ENN6653A2SC5683NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5683Ultrahigh-Definition CRT DisplayHorizontal Deflection Output ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V).2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SC5683] Adoption of MBIT process.5.63.416.03.12.82.0 2

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2SC568M

Ordering number : ENN6654A2SC5689NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5689Ultrahigh-Definition CRT DisplayHorizontal Deflection Output ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V).2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SC5689] Adoption of MBIT process.5.63.4 On-chip damper di

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2SC568M

Ordering number : ENN6608A2SC5682NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5682Ultrahigh-Definition CRT DisplayHorizontal Deflection Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High speed. unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process).[2SC5682] Adoption of MBIT process.5.63.416.03.12.82.0 2.1

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History: BF281 | DDTC124EKA | MP600A | SBP13007O | DK100 | RT3THHM | NTE155

 

 
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