2SC568M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC568M  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 650 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO72

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2SC568M datasheet

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2SC568M

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2SC568M

Ordering number ENN6653A 2SC5683 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5683 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5683] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2

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2SC568M

Ordering number ENN6654A 2SC5689 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5689 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5689] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 On-chip damper di

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2SC568M

Ordering number ENN6608A 2SC5682 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5682 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5682] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.1

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