2SC591 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC591
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO8
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2SC591 datasheet
2sc5916.pdf
2SC5916 Transistor Medium power transistor (30V, 2A) 2SC5916 External dimensions (Units mm) Features 1) High speed switching. (Tf Typ. 20ns at IC = 2A) 2.8 TSMT3 1.6 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 200mV at IC = 1.0A, IB = 0.1A) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. (1) Base 4) Complements the 2SA2113 (2) Emitter Each
2sc5913.pdf
Power Transistors 2SC5913 Silicon NPN triple diffusion mesa type Horizontal deflection output for TV, CRT Monitor Unit mm 15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1 5 5 Features High breakdown voltage VCBO 1 500 V Wide safe operation area Built-in dumper diode 5 5 (4.0) 5 2.0 0.2 1.1 0.1 Absolute Maximum Ratings TC = 25 C 0.7 0.1 Parameter Symbol
2sc5912.pdf
Power Transistors 2SC5912 Silicon NPN triple diffusion mesa type Horizontal deflection output for TV Unit mm 15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1 5 5 Features High breakdown voltage VCBO 1 500 V Wide safe operation area Built-in dumper diode 5 5 (4.0) 5 2.0 0.2 1.1 0.1 Absolute Maximum Ratings TC = 25 C 0.7 0.1 Parameter Symbol Rating Unit
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History: 2SC592
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Liste
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