2SC591 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC591
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO8
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC591
2SC591 Datasheet (PDF)
2sc5916.pdf
2SC5916 Transistor Medium power transistor (30V, 2A) 2SC5916 External dimensions (Units : mm) Features 1) High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at IC = 2A) 2.8TSMT31.62) Low saturation voltage, typically (Typ. : 200mV at IC = 1.0A, IB = 0.1A) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. (1) Base4) Complements the 2SA2113 (2) EmitterEach
2sc5913.pdf
Power Transistors2SC5913Silicon NPN triple diffusion mesa typeHorizontal deflection output for TV, CRT MonitorUnit: mm15.50.5 3.00.3 3.20.155 Features High breakdown voltage: VCBO 1 500 V Wide safe operation area Built-in dumper diode 55(4.0)52.00.21.10.1 Absolute Maximum Ratings TC = 25C0.70.1Parameter Symbol
2sc5912.pdf
Power Transistors2SC5912Silicon NPN triple diffusion mesa typeHorizontal deflection output for TVUnit: mm15.50.5 3.00.3 3.20.155 Features High breakdown voltage: VCBO 1 500 V Wide safe operation area Built-in dumper diode 55(4.0)52.00.21.10.1 Absolute Maximum Ratings TC = 25C0.70.1Parameter Symbol Rating Unit
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Liste
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