2SC682 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC682

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 275 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.9 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO72

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2SC682 datasheet

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2SC682

2SC684

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2SC682

A A A

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2SC682

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC681 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V (Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in B/W TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

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