2SC784B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC784B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.9 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO92

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2SC784B datasheet

 9.1. Size:153K  jmnic
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2SC784B

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC789 DESCRIPTION With TO-220C package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Col

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
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2SC784B

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC789 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5(V)(Max)@ I = 3A CE(sat) C DC Current Gain- h = 40-240 @ I = 0.5A FE C Complement to Type 2SA489 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

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