2SC784B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC784B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC784B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC784B даташит

 9.1. Size:153K  jmnic
 2sc789.pdf pdf_icon

2SC784B

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC789 DESCRIPTION With TO-220C package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Col

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
 2sc789.pdf pdf_icon

2SC784B

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC789 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5(V)(Max)@ I = 3A CE(sat) C DC Current Gain- h = 40-240 @ I = 0.5A FE C Complement to Type 2SA489 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

Другие транзисторы: 2SC780A, 2SC780AG, 2SC780G, 2SC781, 2SC782, 2SC782A, 2SC783, 2SC784, C1815, 2SC784O, 2SC784R, 2SC785, 2SC786, 2SC787, 2SC788, 2SC789, 2SC789O