2SC821 Todos los transistores

 

2SC821 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC821
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2SC821 PDF detailed specifications

 9.1. Size:55K  panasonic
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2SC821

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE... See More ⇒

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Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE... See More ⇒

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History: HS5815 | BP18N98S

 

 
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