2SC826 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC826  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO39

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 2SC826

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SC826 datasheet

 9.1. Size:55K  panasonic
 2sc829.pdf pdf_icon

2SC826

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE

 9.2. Size:59K  panasonic
 2sc829 e.pdf pdf_icon

2SC826

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE

 9.3. Size:53K  no
 2sc828.pdf pdf_icon

2SC826

Otros transistores... 2SC820, 2SC821, 2SC821Z, 2SC822, 2SC822Z, 2SC823, 2SC824, 2SC825, 2N4401, 2SC827, 2SC827T, 2SC828, 2SC828A, 2SC829, 2SC829Z, 2SC83, 2SC830