2SC860 Todos los transistores

 

2SC860 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC860
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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2SC860 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:154K  jmnic
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2SC860

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 package High collector-base breakdown voltage :VCBO=400V(min) APPLICATIONS For high voltage and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER

 9.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc867.pdf pdf_icon

2SC860

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC867DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in line-operated color TV chromaoutput circuits and sound output circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vo

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History: 3N87 | DRA4144V | SM3151 | KTD8303A-5 | UMA1N | BF494D | KT826A

 

 
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