2SC863 Todos los transistores

 

2SC863 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC863

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO72

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2SC863 datasheet

 9.1. Size:154K  jmnic
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2SC863

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 package High collector-base breakdown voltage VCBO=400V(min) APPLICATIONS For high voltage and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 9.2. Size:189K  inchange semiconductor
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2SC863

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line-operated color TV chroma output circuits and sound output circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vo

Otros transistores... 2SC858 , 2SC858FP , 2SC859 , 2SC859FP , 2SC86 , 2SC860 , 2SC861 , 2SC862 , 2SA1943 , 2SC864 , 2SC865 , 2SC866 , 2SC867 , 2SC867A , 2SC868 , 2SC869 , 2SC87 .

 

 

 


 
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