2SC895 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC895
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 18 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO66
Búsqueda de reemplazo de 2SC895
2SC895 datasheet
2sc898.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC898 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V (Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 6A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX U
2sc897.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SC897 DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
Otros transistores... 2SC888 , 2SC889 , 2SC89 , 2SC890 , 2SC891 , 2SC892 , 2SC893 , 2SC894 , 2SD2499 , 2SC895-1 , 2SC896 , 2SC897 , 2SC897A , 2SC898 , 2SC898A , 2SC899 , 2SC89H .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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