2SC895-1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC895-1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 18 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 90 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO66

 Búsqueda de reemplazo de 2SC895-1

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SC895-1 datasheet

 9.1. Size:49K  1
 2sc892.pdf pdf_icon

2SC895-1

 9.2. Size:185K  inchange semiconductor
 2sc898.pdf pdf_icon

2SC895-1

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC898 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V (Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 6A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX U

 9.3. Size:184K  inchange semiconductor
 2sc897.pdf pdf_icon

2SC895-1

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SC897 DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Otros transistores... 2SC889, 2SC89, 2SC890, 2SC891, 2SC892, 2SC893, 2SC894, 2SC895, 2SC2625, 2SC896, 2SC897, 2SC897A, 2SC898, 2SC898A, 2SC899, 2SC89H, 2SC90