Биполярный транзистор 2SC895-1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC895-1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 18 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO66
2SC895-1 Datasheet (PDF)
2sc898.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC898DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V (Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.)@ I = 6ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX U
2sc897.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SC897DESCRIPTIONWith TO-3 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050