2SC900E Todos los transistores

 

2SC900E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC900E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC900E Datasheet (PDF)

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Transistors2SC9014

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2SC900E

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014DESCRIPTIONHigh total power dissipationHigh hFE and good linearityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switching and amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 50 VCBOV Coll

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History: 2SC6040 | D45VH4 | 2SC561 | DM50P | BC817-40 | PBSS305ND | 2SC5488

 

 
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