2SD1000 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD1000  📄📄 

Código: LK_LL_LM

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 55 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT89

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2SD1000 datasheet

 ..1. Size:218K  nec
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2SD1000

 ..2. Size:1152K  kexin
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2SD1000

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1000 Features 1.70 0.1 Low collector saturation voltage. VCE(sat)

 0.1. Size:282K  cn shikues
2sd1000l 2sd1000k.pdf pdf_icon

2SD1000

2SD1000 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 0.8 A Power Dissipation Ptot 625

 8.1. Size:211K  nec
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2SD1000

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