2SD1000 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1000 📄📄
Código: LK_LL_LM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 55 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: SOT89
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2SD1000 datasheet
2sd1000.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1000 Features 1.70 0.1 Low collector saturation voltage. VCE(sat)
2sd1000l 2sd1000k.pdf
2SD1000 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 0.8 A Power Dissipation Ptot 625
Otros transistores... 2SC994, 2SC995, 2SC996, 2SC997, 2SC998, 2SC999, 2SC999A, 2SD100, BC557, 2SD1000LK, 2SD1000LL, 2SD1000LM, 2SD1001, 2SD1001FK, 2SD1001FL, 2SD1001FM, 2SD1002
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2N3830L | RN1965FE | 2SC3181NO
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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