2SD1085K Todos los transistores

 

2SD1085K Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1085K
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SD1085K datasheet

 8.1. Size:111K  mospec
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 8.2. Size:56K  no
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 8.3. Size:180K  inchange semiconductor
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2SD1085K

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD108 DESCRIPTION High DC current gain- h = 2000 (Min) @ I = 1A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V =80V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulator Audio amplifi... See More ⇒

 8.4. Size:212K  inchange semiconductor
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2SD1085K

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1088 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 2000(Min.)@I = 2A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in hig... See More ⇒

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History: 2T7535C | 3CA892 | BC368-10

 

 
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