2SD1089 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1089
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO220
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2SD1089 datasheet
2sd108.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD108 DESCRIPTION High DC current gain- h = 2000 (Min) @ I = 1A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V =80V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulator Audio amplifi
2sd1088.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1088 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 2000(Min.)@I = 2A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in hig
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History: 2SC316
History: 2SC316
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Liste
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