2SD1183 Todos los transistores

 

2SD1183 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1183
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SD1183 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  inchange semiconductor
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2SD1183

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1183DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1200V (Min)CBOHigh ReliabilityWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 8.1. Size:505K  1
 2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

2SD1183

 8.2. Size:227K  toshiba
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 8.3. Size:135K  rohm
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2SD1183

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