2SD1185 Todos los transistores

 

2SD1185 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1185
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SD1185

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SD1185 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  no
 2sd1185.pdf pdf_icon

2SD1185

 ..2. Size:202K  inchange semiconductor
 2sd1185.pdf pdf_icon

2SD1185

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1185DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1200V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1200 VCBOV Collector-Emitte

 8.1. Size:505K  1
 2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

2SD1185

 8.2. Size:227K  toshiba
 2sd1187.pdf pdf_icon

2SD1185

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SD1178 , 2SD1179 , 2SD118 , 2SD1180 , 2SD1181 , 2SD1182 , 2SD1183 , 2SD1184 , 2SA1943 , 2SD1186 , 2SD1187 , 2SD1187O , 2SD1187Y , 2SD1188 , 2SD1189 , 2SD119 , 2SD1190 .

History: LBC557C | HS649A | MRF261 | 2N2217A | BUL62B | CSD1563AN | UMT1006

 

 
Back to Top

 


 
.