2SD1187O Todos los transistores

 

2SD1187O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1187O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 350 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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2SD1187O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:227K  toshiba
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2SD1187O

 7.2. Size:199K  inchange semiconductor
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2SD1187O

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1187DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFECollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max.)@ I = 6.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power switching applicationsDC-DC

 8.1. Size:505K  1
 2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

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 8.2. Size:135K  rohm
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