2SD1187O datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD1187O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1187O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO247

Аналоги (замена) для 2SD1187O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1187O даташит

7.1. Size:227K toshiba
2sd1187.pdf pdf_icon

7.2. Size:199K inchange semiconductor
2sd1187.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1187 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.5V(Max.)@ I = 6.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High power switching applications DC-DC

8.1. Size:505K 1
2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon